特許
J-GLOBAL ID：201103032984954495
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-242191
公開番号（公開出願番号）：特開平3-105954
特許番号：特許第2574902号
出願日： 1989年09月20日
公開日（公表日）： 1991年05月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】熱膨張係数の異なる複数の種類の半導体素子のうち最も熱膨張係数の小さい素子の熱膨張係数以上かつ最も熱膨張係数の大きい素子の熱膨張係数以下の熱膨張係数を有するモジユール基板上に、モジユール基板の熱膨張係数と各素子の熱膨張係数の間の熱膨張係数を有し、かつ厚さ方向に熱膨張係数の勾配を有する素子搭載用基板を搭載し、その上に各素子を搭載したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/32 D
, H01L 23/12 N
