特許

J-GLOBAL ID：201103033226273955

非破壊検査用半導体デバイスおよびその製造方法ならびに非破壊検査方法および非破壊検査装置

発明者： 二川 清
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-067744
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269291
特許番号：特許第3450212号
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に近接して配置された第1および第2の導電体を含む半導体デバイスであって、前記半導体基板上に配設された熱起電力発生体と、前記熱起電力発生体の一端と前記第1の導電体とを接続する第1の配線と、前記熱起電力発生体の他端と前記第2の導電体とを接続する第2の配線とを含むことを特徴とする非破壊検査用半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/00 ,  G01N 27/72 ,  H01L 39/22 ZAA

FI (4件)：

H01L 21/66 S ,  G01N 27/00 Z ,  G01N 27/72 ,  H01L 39/22 ZAA D