特許
J-GLOBAL ID：201103033263028731
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-335708
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156066
特許番号：特許第3422960号
出願日： 1999年11月26日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 酸素、塩素、フッ素から選ばれる少なくとも一種の元素を含む化合物の分子と、シリコンを含む化合物の分子と、励起された窒素とがそれぞれ独立して供給され半導体基板表面上で混合されて前記半導体基板上に窒素を含む絶縁膜を形成する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/318 B
, H01L 21/31 C
