特許
J-GLOBAL ID：201103033286158276
発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-258828
公開番号（公開出願番号）：特開2011-139038
出願日： 2010年11月19日
公開日（公表日）： 2011年07月14日
要約：
【課題】発光効率を改善する発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、それぞれ第1の導電型の上部半導体層、活性層、第2の導電型の下部半導体層、及び前記第2の導電型の前記下部半導体層と前記活性層とを貫通して前記第1の導電型の前記上部半導体層を露出させるホールを含む第1の発光セル及び第2の発光セルと、前記第1の発光セル及び前記第2の発光セルと前記基板との間に位置し、前記第1の発光セル及び前記第2の発光セルを互いに電気的に接続するコネクタと、を含み、前記第1の発光セルの前記ホール及び前記第2の発光セルの前記ホールは、それぞれ前記第1の発光セル及び前記第2の発光セルの中央領域に位置し、前記コネクタは、前記第1の発光セルの前記第2の導電型の前記下部半導体層と、前記第2の発光セルの前記ホール内に露出された前記第1の導電型の前記上部半導体層とを電気的に接続していることを特徴とする発光素子。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板と、
それぞれ第1の導電型の上部半導体層、活性層、第2の導電型の下部半導体層、及び前記第2の導電型の前記下部半導体層と前記活性層とを貫通して前記第1の導電型の前記上部半導体層を露出させるホールを含む第1の発光セル及び第2の発光セルと、
前記第1の発光セル及び前記第2の発光セルと前記基板との間に位置し、前記第1の発光セル及び前記第2の発光セルを互いに電気的に接続するコネクタと、を含み、
前記第1の発光セルの前記ホール及び前記第2の発光セルの前記ホールは、それぞれ前記第1の発光セル及び前記第2の発光セルの中央領域に位置し、
前記コネクタは、前記第1の発光セルの前記第2の導電型の前記下部半導体層と、前記第2の発光セルの前記ホール内に露出された前記第1の導電型の前記上部半導体層とを電気的に接続している
ことを特徴とする発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/38
, H01L 33/46
, H01L 33/14
H01L33/00 210
, H01L33/00 310
, H01L33/00 150
5F041AA03
, 5F041AA21
, 5F041AA25
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA93
, 5F041CA99
, 5F041CB11
, 5F041CB15
, 5F041CB25
, 5F041CB36
, 5F041FF11
