特許

J-GLOBAL ID：201103033299308870

フォトディテクタアレイおよび半導体イメージインテンシファイア

発明者： ジエ ヤオ
出願人/特許権者： ジエ ヤオ
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-528952
公開番号（公開出願番号）：特表2011-501415
出願日： 2008年10月03日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：

感光性画素のアレイを含むセンサであって、各画素は、コンタクトをもたないフローティングベースを有する少なくとも1つのヘテロ接合フォトトランジスタであって、各フォトトランジスタは、側壁に露出した活性層を有するメサ型デバイスである、ヘテロ接合フォトトランジスタと、high-k誘電体材料を堆積した少なくとも1つの原子層であって、少なくとも前記側壁に露出した活性層に隣接し、かつこれをパッシベーションする、少なくとも1つの原子層を含む。

請求項（抜粋）：

光電子デバイスであって、 メサ型デバイスの一部として、前記メサ型デバイスを取り囲む側壁に露出した活性層を有する少なくとも1つのp-nまたはp-i-n接合と、 high-k誘電体材料を堆積した少なくとも1つの原子層であって、少なくとも前記側壁に露出した活性層に隣接し、かつこれをパッシベーションする、少なくとも1つの原子層と、 を備えることを特徴とするデバイス。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (9件)：

5F049MA13 ,  5F049MB02 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NA05 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049QA02