特許

J-GLOBAL ID：201103033305326983

暗電流低減機構を有する光検知装置

発明者： 内山 靖仁
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-044008
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246635
特許番号：特許第4468600号
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に、量子井戸を有する第1の層と、ポテンシャルの障壁を形成する第2の層とが交互に少なくともそれぞれ1層積層されてなり、入射光により光励起されて量子井戸外へ放出した電子を検知する暗電流低減機構を有する光検知装置であって、 前記積層両端にバイアスを印加したときに電子が流れる方向に沿って、前記第2の層が前記第1の層へと変わる界面の前記第2の層部分に選択的に不純物がドーピングされてなることを特徴とする光検知装置。

IPC (4件)：

H01L 31/10 ( 200 6.01) ,  G01J 1/02 ( 200 6.01) ,  H01L 27/14 ( 200 6.01) ,  H04N 5/33 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 31/10 A ,  G01J 1/02 B ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 27/14 K ,  H04N 5/33