特許
J-GLOBAL ID：201103033350228844
近接超音波センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-230894
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082624
出願日： 2009年10月02日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
【課題】送信用の超音波トランスデューサーと受信用の超音波トランスデューサーとを空隙部を介して隣接して一体的に配置し、音の回り込みや残響振動を抑えるようにすること。【解決手段】近接超音波センサは、シリコン基板1と、シリコン基板1上に設けられた積層体2乃至5とをそれぞれ有する送信用の超音波トランスデューサーと受信用の超音波トランスデューサーとを備え、積層体は、シリコン基板1上に設けられた支持層2と、支持層2上に設けられた第1の電極3a,3bと、第1の電極3a,3b上に設けられた圧電体層4a,4bと、圧電体層4a,4b上に設けられた第2の電極5a,5bとから構成されている。送信用の超音波トランスデューサーと受信用の超音波トランスデューサーは、空隙部7を介して隣接して一体的に配置され、空隙部7は、送信用の超音波トランスデューサーから受信用の超音波トランスデューサーへ直接的に振動させない空間領域である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、該シリコン基板上に設けられた積層体とをそれぞれ有する送信用の超音波トランスデューサーと受信用の超音波トランスデューサーとを備えた近接超音波センサであって、
前記積層体が、前記シリコン基板上に設けられた支持層と、該支持層上に設けられた第1の電極と、該第1の電極上に設けられた圧電体層と、該圧電体層上に設けられた第2の電極とから構成され、
前記送信用の超音波トランスデューサーと前記受信用の超音波トランスデューサーとが、空隙部を介して隣接して一体的に配置されていることを特徴とする近接超音波センサ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
5D019BB02
, 5D019BB12
, 5D019BB25
, 5D019FF01
