特許
J-GLOBAL ID:201103033436108841

不正コピーを防止した不揮発性半導体メモリ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 土井 健二 ,  林 恒徳
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-203357
公開番号(公開出願番号):特開2001-035169
特許番号:特許第4079552号
出願日: 1999年07月16日
公開日(公表日): 2001年02月09日
請求項(抜粋):
【請求項1】 電気的にデータの書き込み及び読み出しを行う不揮発性の半導体メモリにおいて、 通常のデータを記録する主記憶領域と、 不正コピーを防止するための特殊コードを記録する隠し記憶領域と、 前記隠し記憶領域を書き込みプロテクト状態にする書き込みプロテクト回路とを有し、 前記隠し記憶領域は、書き込みプロテクト状態の時は読み出し許可状態にあり、書き込みプロテクト状態ではない時は読み出し禁止状態にあることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (1件):
G11C 16/02 ( 200 6.01)
FI (1件):
G11C 17/00 601 P
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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