特許

J-GLOBAL ID：201103033477260828

アライメントパタ-ンの形成方法及びマスクとの合わせ精度測定方法

発明者： 山本 泰弘 ,  渡辺 明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008115
特許番号：特許第3016776号
出願日： 1999年01月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体基板上に第1の膜で第1のパターンを形成する工程と、前記第1のパターン上に第1のパターンより面積が小さい第2のパターンを第2の膜で形成する工程と、前記半導体基板全面に第3の膜を形成する工程と、全面にエッチング処理を行うことにより、第2のパターンと第3の膜とで段差を形成することを特徴とするアライメントパターンの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

H01L 21/30 522 Z ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/304 622 X