特許

J-GLOBAL ID：201103033596193098

強誘電体メモリ装置

発明者： 青木 正樹 ,  伊藤 昭男 ,  虫賀 満輝 ,  中村 亘 ,  恵下 隆
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046855
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200879
特許番号：特許第3189094号
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ソース領域、ドレイン領域、及びゲート電極とを含んで構成される電界効果トランジスタと、前記ソース領域と前記ゲート電極とを接続する第1の強誘電体キャパシタと、前記ドレイン領域と前記ゲート電極とを接続する第2の強誘電体キャパシタとを有する強誘電体メモリ装置。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/22 ,  G11C 14/00

FI (4件)：

H01L 27/10 444 A ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 444 Z ,  G11C 11/34 352 A