特許
J-GLOBAL ID：201103033680233771

固体撮像装置

発明者：
青木 武志

青木 武志 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-031260
公開番号（公開出願番号）：特開2011-216865
出願日： 2011年02月16日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：
【課題】 新たな工程を追加することなく、遮光膜の面積占有率の差を軽減して平坦化膜の均一性を改善することができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】 半導体基板に形成されたフォトダイオードを有する複数の画素が配置された有効画素部と、前記有効画素部の周辺部とを含む固体撮像装置で、前記半導体基板の上方に配置された複数の金属配線層と、前記複数の金属配線層のうち最上に配されたパターニングされた金属配線層を覆う平坦化膜とを備え、前記有効画素部では、前記複数の金属配線層は前記フォトダイオードに光を入射させるための開口部を有し、前記周辺部では、前記複数の金属配線層の最上層に開口部が設けられ、前記最上層と前記半導体基板との間の少なくとも1つの金属配線層が前記最上層の開口部を通して入射する光を遮るパターンを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板に形成されたフォトダイオードを有する複数の画素が配置された有効画素部と、前記有効画素部の周辺に配置された周辺部とを含む固体撮像装置であって、 前記半導体基板の上方に配置された複数の金属配線層と、 前記複数の金属配線層の最上層であるパターニングされた金属配線層を覆う平坦化膜とを備え、 前記有効画素部では、前記複数の金属配線層は前記フォトダイオードに光を入射させるための開口部を有し、 前記周辺部では、前記最上層に開口部が設けられ、前記最上層と前記半導体基板との間の少なくとも1つの金属配線層が前記最上層の開口部を通して入射する光を遮るパターンを有することを特徴とする固体撮像装置。
IPC (4件)：
H01L 27/14 ,  H01L 27/146 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/320
FI (3件)：
H01L27/14 D ,  H01L27/14 A ,  H01L21/88 S
Fターム (47件)：
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CB14 ,  4M118DD10 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118GB09 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GB17 ,  4M118HA30 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033VV00 ,  5F033VV01 ,  5F033VV07 ,  5F033XX32
引用特許：
審査官引用 (14件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM