特許
J-GLOBAL ID：201103033701687492
P形炭素添加非晶質シリコンの生成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-072216
公開番号（公開出願番号）：特開平2-191322
特許番号：特許第2533639号
出願日： 1989年03月24日
公開日（公表日）： 1990年07月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】シリコン化合物と炭化水素あるいは炭化弗素と硼素化合物とを成分とするガスを水素ガスにより希釈してなる原料ガスをグロー放電により分解する際に、水素ガスの量をシリコン化合物量の100倍以上とし、硼素化合物として弗化硼素系化合物を用いることを特徴とするp形炭素添加非晶質シリコンの生成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, H01L 31/04 V
