薄膜太陽電池の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-275858
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119480
出願日： 2009年12月03日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：

【課題】光電変換効率に優れた薄膜太陽電池の製造方法を得ること。【解決手段】透光性絶縁基板上に、透光性導電材料からなる透明電極層を形成する第1工程と、前記透明電極層上に半導体層からなり光電変換を行う半導体光電変換層を形成する第2工程と、前記半導体光電変換層上に、光散乱層を有する透光性導電材料からなる裏面側透明電極層を形成する第3工程と、裏面側透明電極層上に反射性導電材料からなる裏面反射電極層を形成する第4工程と、を含み、前記第3工程は、前記光散乱層の構成材料を含む光散乱層材料膜を略一様な厚みで前記半導体光電変換層上に形成する第4工程と、前記光散乱層材料膜に対して200°C以下の温度で前記光散乱層材料膜を前記半導体光電変換層上において凝集させて前記光散乱層を形成する第5工程と、を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

透光性絶縁基板上に、透光性導電材料からなる透明電極層を形成する第1工程と、前記透明電極層上に半導体層からなり光電変換を行う半導体光電変換層を形成する第2工程と、前記半導体光電変換層上に、光散乱層を有する透光性導電材料からなる裏面側透明電極層を形成する第3工程と、裏面側透明電極層上に反射性導電材料からなる裏面反射電極層を形成する第4工程と、を含み、前記第3工程は、前記光散乱層の構成材料を含む光散乱層材料膜を略一様な厚みで前記半導体光電変換層上に形成する第4工程と、前記光散乱層材料膜に対して200°C以下の温度で前記光散乱層材料膜を前記半導体光電変換層上において凝集させて前記光散乱層を形成する第5工程と、を含むこと、を特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 F , H01L31/04 M

Fターム (18件)：

5F051DA04 , 5F051FA02 , 5F051FA06 , 5F051FA13 , 5F051FA15 , 5F051FA19 , 5F051FA23 , 5F051GA03 , 5F051HA20 , 5F151DA04 , 5F151FA02 , 5F151FA06 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151FA19 , 5F151FA23 , 5F151GA03 , 5F151HA20

前のページに戻る