特許
J-GLOBAL ID：201103033916292944

微細構造の形成方法、レーザー照射装置、及び基板

発明者：
脇岡 寛之

脇岡 寛之 について


出願人/特許権者：
株式会社フジクラ

株式会社フジクラ について


代理人 (3件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-089510
公開番号（公開出願番号）：特開2011-222700
出願日： 2010年04月08日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：
【課題】基板における配置に左右されず、ほぼ一定のエッチング速度で微細孔及び微細溝等の微細構造を形成することができる微細構造の形成方法、該形成方法に使用されるレーザー照射装置、及び該形成方法を用いて製造された基板の提供。【解決手段】基板1において孔状又は溝状をなす微細構造を設ける領域に、パルス時間幅がピコ秒オーダー以下のパルス幅を有するレーザー光51を照射し、該レーザー光51が集光した焦点56を走査して改質部53を形成する工程Aと、改質部53が形成された基板1に対してエッチング処理を行い、該改質部53を除去して微細構造を形成する工程Bと、を含む微細構造の形成方法であって、前記工程Aにおいて、レーザー光51として円偏光レーザー光を用いることを特徴とする微細構造の形成方法。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板において孔状又は溝状をなす微細構造を設ける領域に、パルス時間幅がピコ秒オーダー以下のパルス幅を有するレーザー光を照射し、該レーザー光が集光した焦点を走査して改質部を形成する工程Aと、 前記改質部が形成された前記基板に対してエッチング処理を行い、該改質部を除去して微細構造を形成する工程Bと、を含む微細構造の形成方法であって、 前記工程Aにおいて、前記レーザー光として円偏光レーザー光を用いることを特徴とする微細構造の形成方法。
IPC (2件)：
H05K 3/10 ,  H05K 3/00
FI (2件)：
H05K3/10 C ,  H05K3/00 N
Fターム (8件)：
5E343AA26 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB34 ,  5E343BB72 ,  5E343DD69 ,  5E343DD76 ,  5E343GG08
引用特許：
審査官引用 (2件)

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