透明導電体の製造方法、透明導電体、デバイス及び電子機器

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 鈴木三義 , 西和哉 , 村山靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-205913
公開番号（公開出願番号）：特開2011-060448
出願日： 2009年09月07日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：

【課題】低コストで低抵抗化を実現可能な透明導電体の製造方法を提供する。【解決手段】基板11上に設けられた透明導電体の製造方法であって、透明導電体は、アナターゼ型TiO2の酸素をフッ素に置換して得られるアナターゼ型結晶構造を有するF:TiO2であり、パルスレーザ堆積法を用い、制御された酸素分圧の雰囲気下において、TiとFとからなる化合物にパルスレーザを照射し、300°C以上650°C以下加熱された基板11上に反応生成物をエピタキシャル成長させることにより行うことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた透明導電体の製造方法であって、前記透明導電体は、アナターゼ型TiO2の酸素をフッ素に置換して得られるアナターゼ型結晶構造を有するF:TiO2であり、パルスレーザ堆積法を用い、制御された酸素分圧の雰囲気下において、TiとFとからなる化合物にパルスレーザを照射し、300°C以上650°C以下加熱された前記基板上に反応生成物をエピタキシャル成長させることにより行うことを特徴とする透明導電体の製造方法。

IPC (4件)：

H01B 13/00 , H01B 5/14 , C23C 14/28 , H01L 31/04

FI (5件)：

H01B13/00 503B , H01B5/14 A , C23C14/28 , H01L31/04 H , H01L31/04 M

Fターム (24件)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA48 , 4K029BB09 , 4K029BC09 , 4K029CA02 , 4K029DA08 , 4K029DB17 , 4K029DB20 , 4K029EA08 , 5F051CB27 , 5F051FA02 , 5F051FA08 , 5F151CB27 , 5F151FA02 , 5F151FA08 , 5G307FA01 , 5G307FB01 , 5G307FC09 , 5G307FC10 , 5G323BA02 , 5G323BB04 , 5G323BB06 , 5G323BC03

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