特許
J-GLOBAL ID：201103033985778450

イオン輸送方法

発明者：
廣瀬 卓司

廣瀬 卓司 について

, 
中村 真一

中村 真一 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147140
公開番号（公開出願番号）：特開2000-336052
特許番号：特許第3647314号
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ディスコチックメソーゲン基に下記の式(a)-(h)のいずれかの構造の側鎖が結合してなりディスコティック液晶相を有する液晶材料およびイオンを用いて、該液晶材料を前記ディスコチックメソーゲン基がカラムナー構造をとるディスコチック液晶相に保ち、該ディスコチック液晶相において前記ディスコチックメソーゲン基の側鎖が形成する前記カラムナー構造に平行なイオンチャネルにより前記イオンを輸送することを特徴とするイオン輸送方法。(a)O(CH2CH2O)nR11(b)O(CH2CH2CH2O)nR11(c)O(CHCH3CH2O)nR11(d)O(CH2)PCH(CH2CH2O)nR11(CH2CH2O)mR12(e)COO(CH2CH2COO)nR11(f)OOC(CH2CH2OOC)nR11(g)O(CH2CH2NH)nR11(h)O(CH2CH2NCH3)nR11(式中、R11,R12はそれぞれ独立に炭素原子数が1〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよく、また1つ以上のメチレンはO、CO、-CH=CH-、-C≡C-、エポキシ基に置き換わっていてもよい。n,m,pは1〜20の整数を示す。)
IPC (4件)：
H01B 1/06 ,  H01M 10/40 ,  C07C 43/20 ,  C09K 19/32
FI (4件)：
H01B 1/06 Z ,  H01M 10/40 A ,  C07C 43/20 D ,  C09K 19/32
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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