特許
J-GLOBAL ID：201103034013531779
半導体レベル変換装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑井 清一
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-218195
公開番号（公開出願番号）：特開平3-080711
出願日： 1989年08月24日
公開日（公表日）： 1991年04月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】互いに異なる電位を供給する電源間に設けられ、エミッタが互いに共通接続されるとともにコレクタに出力信号を発生する第1トランジスタと第2のトランジスタとを有するECL回路と、入力信号に応答して上記ECL回路に制御信号を供給する入力回路とを備えた半導体レベル変換装置において、上記入力回路は上記入力信号から第1レベルと第2レベル間で変化する第1制御信号を発生し、上記入力信号の変化から第1遅延時間後に上記第1制御信号を変化させて上記第1トランジスタのベースに供給する第1ゲート回路と、上記入力信号から上記第1レベルより高い第3レベルと上記第2レベルより低い第4レベル間で変化する上記第1制御信号と同相の第2制御信号を発生し、上記入力信号の変化から上記第1遅延時間より短い第2遅延時間後に上記第2制御信号を変化させて上記第2トランジスタのベースに供給する第2ゲート回路を備えて構成したことを特徴とする半導体レベル変換装置。
IPC (2件)：
H03K 19/0175
, H03K 19/086
