特許

J-GLOBAL ID：201103034236326069

ダイナミック型半導体記憶装置

発明者： 高島 大三郎 ,  大脇 幸人 ,  土田 賢二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-002453
公開番号（公開出願番号）：特開平2-183490
特許番号：特許第2845467号
出願日： 1989年01月09日
公開日（公表日）： 1990年07月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】折返しビット線構造の複数本のビット線とこれと交差する複数本のワード線が配設され、これらビット線とワード線の交点位置にメモりセルが配置されるメモリセルアレイ構成を有するダイナミック型半導体記憶装置において、第1〜第3のビット線対が、第2のビット線対の間に第1のビット線対および第3のビット線対のうちそれぞれ一本のビット線が配設される組合わせをもって配設され、且つ、第1〜第3のビット線対のうち少なくとも二つのビット線対は、対を構成する二本のビット線を途中で交差させた、ことを特徴とするダイナミック型半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 11/401 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

G11C 11/34 362 B ,  H01L 27/10 681 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-241788
  
• 特開昭56-130886
  
• 特開昭62-177792