特許

J-GLOBAL ID：201103034359105580

半導体装置の製造方法

発明者： 松田 順一 ,  小島 卓雄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-208138
公開番号（公開出願番号）：特開平3-071657
出願日： 1989年08月10日
公開日（公表日）： 1991年03月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ウェハの一主面に設けたBPSGからなる絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程、前記コンタクト孔内面を含むウェハの一面にSi3N4膜を成長させる工程、このコンタクト孔側壁部のSi3N4膜のみを残すように異方性エッチングする工程、ウェハの一面にポリシリコン層を形成し、このポリシリコンによりコンタクト孔を埋める工程、コンタクト孔内のポリシリコンのみを残すようにポリシリコン層の等方性エッチングする工程、コンタクト孔内のポリシリコンに不純物をイオン注入する工程、バリアメタル膜を形成する工程、Al膜を形成する工程、Al膜およびバリアメタル膜エッチにより、アルミ配線領域を残す工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 M 8932-4M ,  H01L 21/28 301 C 8932-4M ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-010751
  
• 特開昭64-020640
  
• 特開昭62-032630
  
• 特開昭63-205951