特許
J-GLOBAL ID:201103034448253088

半導体回路装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西村 征生
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-127829
公開番号(公開出願番号):特開2000-323603
特許番号:特許第3314757号
出願日: 1999年05月07日
公開日(公表日): 2000年11月24日
請求項(抜粋):
【請求項1】 表面部に回路及び内部端子が形成された半導体チップと、前記内部端子と導通した外部端子とを備えた半導体回路装置の製造方法であって、基材上に前記内部端子と同じ配列パターンで、かつ、当該基材を剥離可能な状態で固定された、前記外部端子となる導電性部材を、該導電性部材が前記基材上に設置されたままの状態を保って、前記半導体チップの前記内部端子とバンプを介して接続する接続工程と、該接続工程完了後、前記基材を前記導電性部材から剥がす剥離工程とを備えてなることを特徴とする半導体回路装置の製造方法。
IPC (1件):
H01L 23/12
FI (1件):
H01L 23/12 L

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