特許
J-GLOBAL ID：201103034476539728
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-246505
公開番号（公開出願番号）：特開2002-064154
特許番号：特許第4044721号
出願日： 2000年08月15日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a)nチャネル型MISFETが形成される第1の領域および第3の領域およびpチャネル型MISFETが形成される第2および第4の領域であって、
半導体基板に垂直な方向に対して注入角度θで、斜めイオン注入法により前記nチャネル型MISFETのポケットイオン領域を形成する際に、
前記第2の領域上に形成されるレジスト膜の端部から、前記レジスト膜の膜厚Hおよび前記角度θとのtanの積である距離S1以内に形成された第1の領域と、
前記第4の領域上に形成されるレジスト膜の端部から、前記レジスト膜の膜厚Hおよび前記角度θとのtanの積である距離S1より離れた位置に形成された第3の領域を有する前記半導体基板を準備する工程と、
(b)前記第1から第4の領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
(c)前記ゲート絶縁膜上に高融点金属膜を形成し、パターニングすることによってゲート電極を形成する工程と、
(d)前記第2および第4の領域上に膜厚Hのレジスト膜を形成する工程と、
(e)前記ゲート電極の長さ方向の一の側面に対してθの角度であって、半導体基板表面に対して(90°-θ)の角度である第1方向および前記ゲート電極の長さ方向の他の側面に対してθの角度であって、半導体基板表面に対して(90°-θ)の角度である第2方向からp型の不純物を注入することにより第1のポケットイオン領域を形成する工程と、
(f)前記ゲート電極の幅方向の一の側面に対してθの角度であって、半導体基板表面に対して(90°-θ)の角度である第3方向および前記ゲート電極の幅方向の他の側面に対してθの角度であって、半導体基板表面に対して(90°-θ)の角度である第4方向からp型の不純物を注入することにより第2のポケットイオン領域を形成する工程と、
(g)前記ゲート電極の両側にn型の不純物を注入することによりソース、ドレイン領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8244 ( 200 6.01)
, H01L 27/11 ( 200 6.01)
