ナノ構造

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：社本一夫 , 小野新次郎 , 小林泰 , 千葉昭男 , 富田博行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-580599
特許番号：特許第4222757号
出願日： 2001年05月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板の表面又は半導体基板の不動態化表面上にナノ構造を形成するための方法であって、予め決められた形状をもつ一又はそれより多い電気的に帯電された部位を、半導体基板の表面又は半導体基板の不動態化表面である第一の表面上に形成する工程であって、その際、前記一又はそれより多い部位に対応する前記第一の表面の部分と固体材料の道具(9)とを、前記道具と前記第一の表面との間で電荷を移動させるように接触させる工程と、そして第二の材料の粒子(7)を、前記一又はそれより多い電気的に帯電された部位の近くに流れるようにし、該電気的に帯電された部位の極性に対する該電荷の極性により、該粒子(7)を前記一又はそれより多い電気的に帯電された部位にひきつけるか又は反発させる工程とを含み、粒子が電気的に中性であり、且つ、それら粒子が、一又はそれより多い電気的に帯電された部位(176)に対して、電荷を吸収し電気的に帯電された状態で第一の表面から跳ね返る(178)ように計画された、前記方法。

IPC (1件)：

B82B 3/00 ( 200 6.01)

FI (1件)：

B82B 3/00 ZNM

引用特許：

審査官引用 (20件)

特公昭34-008561
特公昭34-008561
特公昭34-008561

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