特許

J-GLOBAL ID：201103034722208795

抵抗変化素子及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法

発明者： 岡本 浩一郎 ,  多田 宗弘 ,  伊藤 仁彦 ,  波田 博光
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-107537
公開番号（公開出願番号）：特開2011-238696
出願日： 2010年05月07日
公開日（公表日）： 2011年11月24日
要約：

【課題】低動作電圧を実現すると共に、スイッチング電圧のばらつきを低減した抵抗変化素子及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】抵抗変化素子は、第1電極と、第1電極に接し、電圧の印加により抵抗が変化する抵抗変化層と、抵抗変化層に接する第2電極と、を備える。抵抗変化層は、高密度層と、高密度層より低密度の低密度層を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1電極と、 前記第1電極に接し、電圧の印加により抵抗が変化する抵抗変化層と、 前記抵抗変化層に接する第2電極と、を備え、 前記抵抗変化層は、高密度層と、前記高密度層より低密度の低密度層を有することを特徴とする抵抗変化素子。

IPC (3件)：

H01L 49/00 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00

FI (3件)：

H01L49/00 Z ,  H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z

Fターム (19件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA15