特許
J-GLOBAL ID:201103034856829370
被膜及び被膜の形成方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-327767
公開番号(公開出願番号):特開2001-293434
特許番号:特許第3835154号
出願日: 2000年10月26日
公開日(公表日): 2001年10月23日
請求項(抜粋):
【請求項1】 光半導体を含むシリコン系の無機塗料を塗布して乾燥した後、この塗料の塗膜表面に、50〜200°Cの水蒸気による処理を施すことを特徴とする被膜の形成方法。
IPC (4件):
B05D 7/24 ( 200 6.01)
, B05D 3/10 ( 200 6.01)
, C09D 5/16 ( 200 6.01)
, C09D 183/00 ( 200 6.01)
FI (5件):
B05D 7/24 302 Y
, B05D 7/24 303 B
, B05D 3/10 K
, C09D 5/16
, C09D 183/00
引用特許: