特許

J-GLOBAL ID：201103034920853795

薄膜撮像方法および装置

発明者： バードス、ロバート、アンドルー ,  トラプキ、ソーステン ,  マクスウェル、イアン、アンドルー
出願人/特許権者： ビーティー イメージング ピーティーワイ リミテッド
代理人 (3件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-516928
公開番号（公開出願番号）：特表2011-527510
出願日： 2009年07月09日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：

光ルミネセンス撮像を使用して半導体薄膜の堆積処理及び/又は事後堆積処理を監視するための方法および装置が提供される。光ルミネセンス画像は、半導体膜の1つ以上の特性および該膜にわたる特性の変化を決定するために解析される。これらの特性は堆積プロセスに関する情報を推定するために使用され、その後、前記情報を使用して、堆積プロセス条件およびその後の処理ステップの条件を調整することができる。方法および装置は、薄膜に基づく太陽電池に対して特定の用途を有する。

請求項（抜粋）：

薄膜堆積プロセスを監視する方法であって、 (a)所定の照明を用いて、前記堆積プロセスによって形成された或いは成長する半導体薄膜の領域を照明して、前記薄膜から光ルミネセンスを引き起こすステップと、 (b)前記光ルミネセンスの画像を取得するステップと、 (c)前記画像を処理して、前記薄膜の1つ以上の特性を決定するステップと、 (d)前記1つ以上の特性を使用して、前記堆積プロセスに関する情報を推定するステップと、 を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/52

Fターム (26件)：

4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030KA02 ,  4K030KA36 ,  4K030KA37 ,  4K030KA39 ,  4K030LA15 ,  4K030LA16 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB23 ,  5F045AB28 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045CA13 ,  5F045DP04 ,  5F045GB10