特許

J-GLOBAL ID：201103035071888055

パワーサイクル寿命予測方法、寿命予測装置及び該寿命予測装置を備えた半導体装置

発明者： 佐々木 雅浩
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-060849
公開番号（公開出願番号）：特開2011-196703
出願日： 2010年03月17日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】丸めによる誤差要因を無くし高精度な寿命予測を行うことができるパワーサイクル寿命予測方法、寿命予測装置及び該寿命予測装置を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】IGBTモジュールの銅ベース温度を検知する温度センサ10と、該温度センサ出力を一定のサンプリング周期でA/D変換するA/D変換器20と、A/D変換器出力から温度差を検出し、検出した温度差と予め保持されている変曲点温度差とを比較し、その比較結果から検出した温度差が予めパワーサイクル試験を経て解析されたパワーサイクル寿命カーブを近似する複数の直線のいずれの側にあるかに応じて近似させる直線の傾き及び該直線において予め設定された基準温度差について寿命データレジスタ40に保持された演算パラメータを受領して寿命計算し寿命情報を出力する寿命演算回路30と、寿命演算回路30で寿命計算を行うための演算パラメータを保持する寿命データレジスタ40と、から構成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

パワー半導体素子から成る半導体装置の全動作温度範囲を複数の温度領域に分割し、該温度領域内においてはそれぞれ設定した基準温度差におけるパワーサイクル数に重み付けした値を用いてサイクル数を算出し、該分割した温度領域間においては各算出した前記サイクル数を基にマイナー則を用いて累積ダメージを算出して寿命を予測することを特徴とするパワーサイクル寿命予測方法。

IPC (5件)：

G01R 31/26 ,  H02M 7/48 ,  H02M 1/00 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

G01R31/26 A ,  H02M7/48 M ,  H02M1/00 B ,  H01L29/78 658L

Fターム (22件)：

2G003AA01 ,  2G003AA02 ,  2G003AA03 ,  2G003AB16 ,  2G003AC04 ,  2G003AD06 ,  2G003AE06 ,  2G003AF02 ,  2G003AH01 ,  2G003AH05 ,  5H007AA05 ,  5H007AA06 ,  5H007AA17 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007DB07 ,  5H007DC08 ,  5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740MM08