特許
J-GLOBAL ID：201103035101557156
Gm増幅器およびGm-Cフィルタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
森 哲也
, 内藤 嘉昭
, 崔 秀▲てつ▼
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392661
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198263
特許番号：特許第3977075号
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 バイアスの大きさに応じて相互コンダクタンスを制御可能なGmアンプと、
設定信号に応じた所定のバイアスであって、前記Gmアンプの相互コンダクタンスの温度依存性を補償するバイアスを発生するバイアス発生回路と、
前記バイアス発生回路に入力する設定信号の設定値を校正する校正回路と、
前記校正回路で校正された設定値を記憶するとともに、その設定値を前記バイアス発生回路に供給する記憶回路と、を備えたGm増幅器であって、
前記バイアス発生回路は、
基準抵抗と、
前記基準抵抗の一端に接続される第1の電流源と、
前記基準抵抗の両端の電位差を入力とするGmアンプと、
前記Gmアンプの出力側に接続される第2の電流源と、
前記第2の電流源と前記Gmアンプの出力電流との差の電流に応じて、前記Gmアンプの入力同相電圧を調整するバイアス電圧を発生する電圧バイアス発生回路と、
前記電圧バイアス発生回路が発生するバイアス電圧をバイアス電流に変換して出力するバイアス変換回路と、を備え、
前記第1および第2の電流源のうちの少なくとも一方は可変であることを特徴とするGm増幅器。
IPC (3件)：
H03F 1/02 ( 200 6.01)
, H03F 3/34 ( 200 6.01)
, H03H 11/04 ( 200 6.01)
H03F 1/02
, H03F 3/34 C
, H03H 11/04 D
