特許
J-GLOBAL ID：201103035176839440
Si多結晶インゴットの製造装置、Si多結晶インゴットおよびSi多結晶ウェハー
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
須田 篤
, 楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-101691
公開番号（公開出願番号）：特開2011-230951
出願日： 2010年04月27日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：
【課題】成長初期に発現させるデンドライト結晶の成長方向、配列、配置、分布を制御可能であり、高品質・高均質なSi多結晶インゴットを製造することができるSi多結晶インゴットの製造装置、Si多結晶インゴットおよびSi多結晶ウェハーを提供する。【解決手段】ルツボ1内に入れたSi融液2の底部付近または表面付近の局所領域2aの過冷却度を変えることにより、融液温度が高い領域から融液温度の低い局所領域2aに向けてデンドライト結晶3を複数発現させたり、融液温度の低い局所領域2aから融液温度が高い領域に向けてデンドライト結晶3を複数発現させたりすることができるよう、Si融液2の底部付近または表面付近に、融液温度が低く大きな過冷却度を有する線状、点状、円状、円周状、円弧状またはそれらのうちの複数を組み合わせた形状よりなる局所領域2aを形成可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
デンドライト結晶の成長方向、配列、配置、分布を制御した成長初期の結晶組織を反映したインゴット組織を有するSi多結晶インゴットの製造に際して、前記Si多結晶インゴットの成長の初期段階において、ルツボ内に入れたSi融液の底部付近または表面付近の局所領域の過冷却度を変えることにより、融液温度が高い領域から融液温度の低い前記局所領域に向けてデンドライト結晶を複数発現させたり、融液温度の低い前記局所領域から融液温度が高い領域に向けてデンドライト結晶を複数発現させたりすることができるよう、前記Si融液の底部付近または表面付近に、融液温度が低く大きな過冷却度を有する線状、点状、円状、円周状、円弧状またはそれらのうちの複数を組み合わせた形状よりなる前記局所領域を形成可能に構成されていることを、特徴とするSi多結晶インゴットの製造装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
4G072AA01
, 4G072BB01
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072GG04
, 4G072HH01
, 4G072MM38
, 4G072MM40
, 4G072NN01
, 4G072QQ16
, 4G072RR12
, 4G072UU02
