特許

J-GLOBAL ID：201103035298394130

窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者： 梶谷 亮 ,  田村 聡之 ,  春日井 秀紀
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (10件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-141847
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287805
出願日： 2009年06月15日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】精度良く加工された窒化物半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】窒化物半導体装置は、基板101の上に形成された第1の窒化物半導体層107と、第1の窒化物半導体層107の上に形成された欠陥導入層108と、欠陥導入層108の上に接して形成され、欠陥導入層108を露出する開口部を有する第2の窒化物半導体層109とを備えている。欠陥導入層108は、第1の窒化物半導体層107及び第2の窒化物半導体層109と比べて結晶欠陥密度が大きい。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板の上に形成された第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に形成された欠陥導入層と、 前記欠陥導入層の上に接して形成され、前記欠陥導入層を露出する開口部を有する第2の窒化物半導体層とを備え、 前記欠陥導入層は、前記第1の窒化物半導体層及び第2の窒化物半導体層と比べて結晶欠陥密度が大きいことを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (6件)：

H01S 5/343 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/306 ,  H01L 29/778

FI (5件)：

H01S5/343 610 ,  H01L29/80 F ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/306 B ,  H01L29/80 H

Fターム (43件)：

4M104AA03 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104FF27 ,  4M104GG12 ,  5F043AA16 ,  5F043DD08 ,  5F043DD21 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GR10 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC04 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F173AA06 ,  5F173AG05 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP35 ,  5F173AP56 ,  5F173AP60 ,  5F173AQ20 ,  5F173AR92