特許

J-GLOBAL ID：201103035535229270

基板処理方法及び基板処理装置

発明者： 新藤 尚樹 ,  飯野 正
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-009207
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217157
特許番号：特許第4014126号
出願日： 2001年01月17日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】被処理基板を収容する処理容器内に加熱ガスを供給して被処理基板を昇温する基板昇温工程と、前記処理容器内にオゾンガスを供給して処理容器内を予備加圧するプレ加圧工程と、前記処理容器内にオゾンガスと水蒸気を供給して、被処理基板を処理する基板処理工程と、パージガスを供給して前記処理容器内のパージを行うパージ工程と、を有する基板処理方法であって、 前記基板処理工程中に前記処理容器内から排気される雰囲気を気液分離手段により気液分離する気液分離工程と、前記パージ工程の間、処理容器内の雰囲気を吸引する強制排気工程と、を有し、 前記強制排気工程の間、前記気液分離を行う気液分離手段に接続される排気経路を閉鎖すると共に、強制排気経路を開放し、前記基板処理工程の間、前記強制排気経路を閉鎖すると共に、前記気液分離する排気経路を開放することを特徴とする基板処理方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 ( 200 6.01) ,  B08B 3/02 ( 200 6.01) ,  B08B 5/02 ( 200 6.01) ,  G03F 7/42 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 21/304 645 Z ,  H01L 21/304 648 L ,  B08B 3/02 A ,  B08B 5/02 Z ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 処理方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-240353   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• 処理方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-240353   出願人：株式会社日立製作所