特許
J-GLOBAL ID：201103035690902879

ウェーハレベルスタックパッケージ及びその製造方法

発明者：
金 載 勉

金 載 勉 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-185762
公開番号（公開出願番号）：特開2001-035998
特許番号：特許第4307691号
出願日： 2000年06月21日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ボンディングパッドの形成された第1表面が所定距離をおいて対向配置された上部及び下部半導体チップ; 前記上部及び下部半導体チップの第1表面に、前記ボンディングパッドが露出するように塗布された第1絶縁層; 前記第1絶縁層上に蒸着され、一端が前記各ボンディングパッドに連結し、他端が前記各半導体チップの外枠に延長された上部及び下部金属パターン; 前記各第1絶縁層上に塗布され、貼り合わせた第2絶縁層; 前記上部半導体チップの外枠に沿って形成され、前記上部及び下部金属パターンの他端を露出させる貫通孔; 前記貫通孔の内壁に蒸着され、前記上部及び下部金属パターンの他端を電気的に連結する媒介パターン; 前記上部半導体チップの第1表面とは反対の第2表面に付着されて前記媒介パターンと電気的に連結して、表面にはボールランドを持つパターンフィルム; 前記貫通孔に埋め込んだ封止剤;及び、 前記パターンフィルムのボールランドにマウントされた半田ボールを含むことを特徴とする、ウェーハレベルスタックパッケージ。
IPC (3件)：
H01L 25/065 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 25/08 Z
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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