特許

J-GLOBAL ID：201103035714411871

マスクパターン補正方法及びマスクパターン作成システム

発明者： 小谷 敏也 ,  田中 聡 ,  井上 壮一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (7件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  坪井 淳 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-375477
公開番号（公開出願番号）：特開2001-188336
特許番号：特許第3805936号
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】投影光学系によりウェハ上に所望パターンを形成するために用いられるマスクパターン補正方法において、 設計パターンから補正対象エッジを抽出するステップと、 前記補正対象エッジから隣接するパターンの最近接エッジまでの距離を算出する距離算出ステップと、 この距離算出ステップにおいて、算出された距離が決められた有る距離より小さい場合には、前記補正対象エッジから決められたある範囲内にあるパターンレイアウトに応じてシミュレーションによりエッジ移動量を算出するステップと、 前記シミュレーションで算出されたエッジ移動量に基づいて前記補正対象エッジを移動させるステップと、 前記距離算出ステップにおいて、前記算出された距離が決められた距離より大きい場合には、予めルール化されたエッジ移動量に基づいて前記補正対象エッジを移動させるステップとを含むことを特徴とするマスクパターン補正方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 Z