特許

J-GLOBAL ID：201103035996830642

固体撮像装置とその製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器

発明者： 山田 明大
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-019598
公開番号（公開出願番号）：特開2011-159757
出願日： 2010年01月29日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：

【課題】画素サイズが縮小されても、飽和電荷量を増加させ、電荷の転送効率の向上、暗電流の抑制を図った固体撮像装置とその製造方法、この固体撮像装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】固体撮像装置は、光電変換部PDと画素トランジスタ(Tr1〜Tr4)とからなる複数の画素21と、平面から見て、それぞれの光電変換部PDの領域内に存するフローティングディフージョン部FDを有する。さらに、各光電変換部PDの周囲の少なくとも一部を囲って基板の深さ方向に形成されて画素トランジスを構成する転送トランジスタTr1の縦型転送ゲート電極331を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

光電変換部と画素トランジスタとからなる複数の画素と、 平面から見て、それぞれの前記光電変換部の領域内に存するフローティングディフージョン部と、 各光電変換部の周囲の少なくとも一部を囲って基板の深さ方向に形成されて前記画素トランジスを構成する転送トランジスタの縦型転送ゲート電極と を有する固体撮像装置。

IPC (1件)：

H01L 27/146

FI (1件)：

H01L27/14 A

Fターム (18件)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA22 ,  4M118CA32 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118FA25 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07