特許

J-GLOBAL ID：201103036001586210

積層基板の製造方法、ダイアフラムの製造方法、圧力センサーの製造方法

発明者： 大戸 正之
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 村上 友一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-258905
公開番号（公開出願番号）：特開2011-108680
出願日： 2009年11月12日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：

【課題】水晶基板の結晶欠陥に起因する貫通孔を抑制した積層基板の製造方法、ダイアフラムの製造方法、圧力センサーの製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明の積層基板400の製造方法は、第1及び第2の水晶基板100,200を接合し基板間に接合層105を形成する工程と、前記第1又は/及び第2の水晶基板100,200を前記接合層105に向かってエッチングして薄肉部205を形成する工程と、からなることを特徴としている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1及び第2の水晶基板を接合し基板間に接合層を形成する工程と、 前記第1又は/及び第2の水晶基板を前記接合層に向かってエッチングして薄肉部を形成する工程と、 からなることを特徴とする積層基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/08 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/08

FI (5件)：

H01L29/84 B ,  G01L9/08 ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 Z

Fターム (17件)：

2F055AA01 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD09 ,  2F055EE23 ,  2F055FF11 ,  2F055GG01 ,  4M112AA01 ,  4M112BA10 ,  4M112CA41 ,  4M112DA02 ,  4M112DA08 ,  4M112DA09 ,  4M112DA18 ,  4M112EA06 ,  4M112EA11 ,  4M112FA20