特許

J-GLOBAL ID：201103036017445756

半導体装置の製造方法および表示パネルの製造方法

発明者： 宮崎 篤
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 島田 明宏 ,  川原 健児 ,  奥田 邦廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-088489
公開番号（公開出願番号）：特開2011-222649
出願日： 2010年04月07日
公開日（公表日）： 2011年11月04日
要約：

【課題】微結晶半導体膜を含むチャネル層の移動度を向上させる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】微結晶シリコン膜を堆積する工程と、水素プラズマ処理を施す工程を交互に複数回ずつ繰り返す。このような方法で微結晶シリコン膜を成膜すれば、微粒子内のマイクロクリスタル成分に含まれるシリコン原子の未結合手を終端したり、アモルファス成分を改質したりすることを、より効率的に行なうことができるので、TFTの移動度をより高めることができる。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、第1の微結晶半導体膜を含む島状のチャネル層とを備えた半導体装置の製造方法であって、 前記第1の微結晶半導体膜の成膜工程は、 前記第1の微結晶半導体膜を少なくとも1回以上の回数に分けて堆積する第1の堆積工程と、 前記第1の堆積工程を終了するごとに水素プラズマ処理を施す第1の水素プラズマ処理工程とを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/455

FI (6件)：

H01L29/78 618A ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 627E ,  G02F1/1368 ,  H01L21/205 ,  C23C16/455

Fターム (58件)：

2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092MA08 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB04 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE19 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045DA52 ,  5F045EH11 ,  5F110AA01 ,  5F110AA19 ,  5F110BB01 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK42 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN16 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ25