特許

J-GLOBAL ID：201103036130171824

半導体材料のこん跡金属の分析法

発明者： ジエイムス・ロバート・マツコーミツク ,  リデイア・リーヨーク・ワング
出願人/特許権者： ヘムロツク・セミコンダクター・コーポレーシヨン
代理人 (1件)： ウオーレン・ジー・シミオール
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-150687
公開番号（公開出願番号）：特開平2-047532
特許番号：特許第2811582号
出願日： 1989年06月15日
公開日（公表日）： 1990年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】(A) 浮遊帯精製に適当な半導体材料の試料を浮遊帯精製して、本質的に全てのこん跡金属を含有する融解帯域を生成し;(B) 前記融解帯域を冷却して、半導体材料の試料のこん跡金属の本質的に全てを含有しかつこん跡金属が濃縮された固体帯域を生成し;(C) こん跡金属が濃縮された固体帯域を半導体材料の試料から分離し;(D) こん跡金属が濃縮された固体帯域をこん跡金属の分析に適する水溶液に転化し;(E) 前記(D)の水溶液をこん跡金属分析手段で分析し;(F) 前記(E)の水性試料の分析から半導体材料試料の全こん跡金属含量を計算する、ことから成ることを特徴とする半導体材料の個々のこん跡金属含量を分析および定量する方法。

IPC (3件)：

G01N 1/28 ,  C30B 29/06 ,  G01N 33/00

FI (3件)：

G01N 1/28 X ,  C30B 29/06 A ,  G01N 33/00 A