基板表面の処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：近藤利英子 , 吉田勝広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-135881
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319918
特許番号：特許第3662472号
出願日： 2000年05月09日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】同一の基板上に、必要とする高密度なシリコン酸化膜と該膜と比較して低密度の必要でないシリコン酸化膜とが混在している基板表面への処理方法において、無水フッ化水素ガス及び少なくとも50〜100°Cの範囲内に加熱された不活性ガスを共存させたガス状雰囲気で、水を添加させることなく、基板の表面温度を30°C〜50°Cの間の温度に維持し、且つガス状雰囲気を構成する気体を40〜60L/minの流量で導入して処理を行うことによって、少なくとも1つ以上の上記低密度な膜を、上記の高密度な膜に対して選択的に除去することを特徴とする基板表面の処理方法。

IPC (1件)：