半導体磁器の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：前田均 , 西出眞吾 , 大倉宏一郎 , 佐藤美樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076451
公開番号（公開出願番号）：特開2000-264725
特許番号：特許第4217337号
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一般式ABO3で表されるペロブスカイト型結晶を有し、ABO3のAサイトに入る金属元素がBaを主成分とし、Bサイトに入る金属元素がTiを主成分としてそれぞれ含み、さらに、半導体化剤を含有し、抵抗値が正の温度係数を示す半導体磁器を製造する方法であって、出発原料を仮焼して仮焼体を得る仮焼工程と、この仮焼体を焼成して半導体磁器を得る焼成工程とを有し、出発原料中において、Aサイトに入る金属元素(前記半導体化剤を含む)のモル比をA、Bサイトに入る金属元素のモル比をBとしたとき、 A/B=1.000±0.005 とし、仮焼工程において安定温度を1150°C以上とし、仮焼工程と焼成工程との間に、Ba2TiSi2O8およびBa4Ti13O30を含む後添加原料を仮焼体に添加してA/Bを減少させると共に、仮焼体を粉砕する後添加および粉砕工程を有し、後添加および粉砕工程において、後添加原料を含む仮焼体を、比表面積が1.5m2/g以上となるように粉砕し、 A/B<1である半導体磁器を得る半導体磁器の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 35/46 ( 200 6.01) , H01C 7/02 ( 200 6.01)

FI (2件)：

C04B 35/46 N , H01C 7/02

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平4-338601
特開昭62-296401
特開昭57-109301

審査官引用 (3件)

特開平4-338601
特開昭62-296401
特開昭57-109301

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