特許
J-GLOBAL ID：201103036398796410
粒子線治療システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-180422
公開番号（公開出願番号）：特開2011-034823
出願日： 2009年08月03日
公開日（公表日）： 2011年02月17日
要約：
【課題】スポットスキャニング照射で治療精度を容易に向上できる粒子線治療システムを提供する。【解決手段】粒子線治療システム100は、シンクロトロン200とビーム輸送系300と照射装置500から構成される。制御装置600は、照射装置500に荷電粒子ビームを供給する際には出射装置26に印加する高周波電力をONし、荷電粒子ビームの供給を遮断する際には出射装置26に印加する高周波電力をOFFした後に、シンクロトロン200に設置した電磁石の励磁量を変化させて安定限界を広げ荷電粒子ビームの出射を停止し、次に荷電粒子ビームの供給を再開する前に安定限界を狭め荷電粒子ビームの一部を出射し、該荷電粒子ビームをビーム輸送系300に設置した電磁石で遮断する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームを所定のエネルギーまで加速し、出射装置に高周波電力を印加して発生させた高周波電磁波で安定限界を超えさせて荷電粒子ビームを出射するシンクロトロンと、前記シンクロトロンから出射された荷電粒子ビームを治療室まで導くビーム輸送系と、前記治療室で患者の患部形状に合わせて荷電粒子ビームを照射する照射装置から構成される粒子線治療システムであって、前記照射装置に荷電粒子ビームを供給する際には前記出射装置に印加する高周波電力をONし、一方、前記照射装置への荷電粒子ビームの供給を遮断する際には前記出射装置に印加する高周波電力をOFFするとともに、前記シンクロトロンに設置した電磁石の励磁量を変化させて前記安定限界を広げ荷電粒子ビームの出射を停止し、次に前記照射装置への荷電粒子ビームの供給を再開する前に、前記シンクロトロンに設置した電磁石の励磁量を変化させて前記安定限界を狭め荷電粒子ビームの一部を出射し、該荷電粒子ビームを前記ビーム輸送系に設置した電磁石で遮断する制御装置を備えることを特徴とする粒子線治療システム。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H05H13/04 N
, A61N5/10 H
, H05H13/04 G
2G085AA13
, 2G085BA11
, 2G085BA13
, 2G085BA15
, 2G085BC15
, 2G085CA05
, 2G085CA24
, 2G085EA07
, 4C082AA01
, 4C082AC04
, 4C082AE01
, 4C082AG05
, 4C082AG12
, 4C082AP01
