特許
J-GLOBAL ID：201103036400168014
単成分半導体基板上に化合物半導体層を成長させる方法及びかかる半導体構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦 (外2名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-108188
公開番号（公開出願番号）：特開平2-191318
出願日： 1989年04月27日
公開日（公表日）： 1990年07月27日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1の元素よりなる単成分半導体基板上に化合物半導体層を成長させる方法であって、該第1の元素に対して固有の親和力をそれぞれ有する第2及び第3の元素を構成成分とするバッファ層を第2及び第3の元素が交互に単原子層の形で堆積されるようにエピタキシャル成長させ、該第1の元素に対して固有の親和力をそれぞれ有する第4及び第5の元素を構成成分とする化合物半導体層を該バッファ層上にエピタキシャル成長させる工程よりなり、該第2,第3,第4及び第5の元素は、第2及び第3の元素の第1の元素に対する親和力が第4,第5の元素の第1の元素に対する親和力と同等若しくは大きくなるように、且つ第2及び第3の元素のうちの一方の元素の第1の元素に対する親和力が第4又は第5の元素のそれよりも大きくなるように選ばれることを特徴とする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/203 M 8719-4M
, H01L 21/205
