特許

J-GLOBAL ID：201103036558771591

マスクの製造方法

発明者： 大沢 裕一 ,  伊藤 順一 ,  柏田 沙織 ,  鎌田 親義
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-083395
公開番号（公開出願番号）：特開2011-215371
出願日： 2010年03月31日
公開日（公表日）： 2011年10月27日
要約：

【課題】本発明のマスクの製造方法によれば、プロセスマージンの広いばらつきの小さな加工用マスクを提供することが出来る。【解決手段】 本発明のマスクの製造方法は、基板上に芯材パターンを形成する工程と、前記芯材パターンの上面及び側面を覆うように第1材料を含む第1の膜を形成する工程と、前記第1の膜上に第2の材料を含む第2の膜を形成する工程と、前記芯材パターンの側面に前記第1の膜及び前記第2の膜を含む側壁層が形成され、かつ前記側壁層以外の前記第1の膜及び前記第2の膜が除去されるように、前記第1の膜及び前記第2の膜を異方性エッチングする工程と、前記側壁層の前記第1の膜を等方性エッチングする工程と、前記芯材パターンを除去する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に芯材パターンを形成する工程と、 前記芯材パターンの上面及び側面を覆うように第1の材料を含む第1の膜を形成する工程と、 前記第1の膜上に第2の材料を含む第2の膜を形成する工程と、 前記芯材パターンの側面に前記第1の膜及び前記第2の膜を含む側壁層が形成され、かつ前記側壁層以外の前記第1の膜及び前記第2の膜が除去されるように、前記第1の膜及び前記第2の膜を異方性エッチングを行う工程と、 前記側壁層の前記第1の膜を等方性エッチングを行う工程と、 前記芯材パターンを除去する工程とを備えることを特徴とする マスクの製造方法。

IPC (1件)：

G03F 1/08

FI (1件)：

G03F1/08 A

Fターム (3件)：

2H095BB02 ,  2H095BB17 ,  2H095BB28