特許

J-GLOBAL ID：201103036749801830

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 野口 充宏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 竹花 喜久男 ,  宇治 弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-295268
公開番号（公開出願番号）：特開2001-167592
特許番号：特許第3920550号
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の制御線と、前記第1の制御線に接続された複数のデータ保持手段と、前記複数のデータ保持手段にそれぞれ電気的に接続された複数の第1のデータ転送線と、前記複数の第1のデータ転送線にそれぞれ接続され、不揮発性半導体メモリセルを有する複数の第1のメモリセルユニットと、前記複数の第1のメモリセルユニットに接続された第1のデータ選択線と、第2の制御線と、複数の第2のデータ転送線と、前記第2の制御線に接続され前記複数の第1のデータ転送線と、前記複数の第2のデータ転送線の間にそれぞれ挿入された複数のスイッチング素子と、前記複数の第2のデータ転送線にそれぞれ接続され、不揮発性半導体メモリセルを有する複数の第2のメモリセルユニットと、前記複数の第2のメモリセルユニットに接続された第2のデータ選択線とを具備し、プログラムに際し、前記複数のデータ保持手段は前記複数の第2のデータ転送線にデータを転送した後、前記複数のスイッチング素子が遮断状態となり、前記複数の第1のメモリセルユニットと第2のメモリセルユニットが同時に選択される不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01) ,  G11C 16/04 ( 200 6.01)

FI (5件)：

G11C 17/00 611 G ,  G11C 17/00 611 Z ,  G11C 17/00 634 A ,  G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 622 C