特許

J-GLOBAL ID：201103036948115377

グラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置

発明者： 岡井 誠 ,  廣岡 誠之 ,  和田 恭雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-015081
公開番号（公開出願番号）：特開2011-155098
出願日： 2010年01月27日
公開日（公表日）： 2011年08月11日
要約：

【課題】グラフェン膜と金属電極との間の接触抵抗を低減してグラフェン膜と金属電極とが良好に電気的接合された回路装置を提供する。【解決手段】本発明に係るグラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置は、単層または複数層からなるグラフェン膜を利用した回路装置であって、前記グラフェン膜と直接接触する下地層としての酸化アルミニウム膜が前記グラフェン膜の下部のみに形成されており、前記酸化アルミニウム膜の組成がAl2-xO3+x(x ≧ 0)であり、前記グラフェン膜と金属電極とが直接接合し、該接合箇所には凹凸構造が形成され、前記凹凸構造は、前記酸化アルミニウム膜に形成された少なくとも1つのコーン状凹部と、前記コーン状凹部を含む前記酸化アルミニウム膜の表面に沿って該表面と平行に成長した前記グラフェン膜と、前記グラフェン膜を覆いかつ前記コーン状凹部を埋めるように形成された前記金属層とから構成されていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

単層または複数層からなるグラフェン膜を利用した回路装置であって、 前記グラフェン膜と直接接触する下地層としての酸化アルミニウム膜が前記グラフェン膜の下部のみに形成されており、 前記酸化アルミニウム膜の組成がAl2-xO3+x(x ≧ 0)であり、 前記グラフェン膜と金属層とが直接接合し、該接合箇所には凹凸構造が形成され、 前記凹凸構造は、前記酸化アルミニウム膜に形成された少なくとも1つのコーン状凹部と、前記コーン状凹部を含む前記酸化アルミニウム膜の表面に沿って該表面と平行に成長した前記グラフェン膜と、前記グラフェン膜を覆いかつ前記コーン状凹部を埋めるように形成された前記金属層とから構成されていることを特徴とするグラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/786 ,  C01B 31/02

FI (7件)：

H01L21/28 301B ,  H01L29/163 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 626C ,  H01L21/28 A ,  C01B31/02 101Z

Fターム (30件)：

4G146AA02 ,  4G146AB07 ,  4G146AD28 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104DD24 ,  4M104EE16 ,  4M104FF27 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F110AA01 ,  5F110AA03 ,  5F110CC01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110GG01 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HM02