特許
J-GLOBAL ID：201103036960488650

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
板井 雄一郎

板井 雄一郎 について


出願人/特許権者：
富士フイルム株式会社

富士フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-229781
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077450
出願日： 2009年10月01日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】水によるTFT特性の不安定性を改善し、且つTFTの初期特性を向上させる。【解決手段】基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に形成された酸化物半導体からなる活性層と、前記活性層と前記ゲート絶縁層の間に又は前記活性層上に、互いに離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極で覆われていない前記活性層の上面を覆う疎水性を有する有機単分子膜と、前記活性層上の前記有機単分子膜上に形成された保護層と、を有した薄膜トランジスタを採用する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上に形成された酸化物半導体からなる活性層と、 前記活性層と前記ゲート絶縁層の間に又は前記活性層上に、互いに離間して形成されたソース電極及びドレイン電極と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極で覆われていない前記活性層の上面を覆う疎水性を有する有機単分子膜と、 前記活性層上の前記有機単分子膜上に形成された保護層と、 を有する薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/312
FI (3件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/312 C
Fターム (67件)：
5F058AB10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC07 ,  5F058AC10 ,  5F058AD01 ,  5F058AD05 ,  5F058AD08 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F058AH03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG51 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN39 ,  5F110NN40 ,  5F110QQ14
引用特許：
審査官引用 (6件)
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