特許

J-GLOBAL ID：201103037153692828

半導体装置およびその製造方法

発明者： 塚野 純 ,  滝澤 朋子 ,  前田 武彦
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 開口 宗昭
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-395231
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197674
特許番号：特許第3512772号
出願日： 2001年12月26日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 半導体素子と、該半導体素子の裏面の電極に金属バンプを介して配設された金属配線と、前記半導体素子と前記金属配線との間の絶縁用樹脂とを備えた半導体装置において、前記絶縁用樹脂の裏面に凹陥部を設け、前記金属配線の外部端子の自由端を前記凹陥部の内面から突出させたことを特徴とする、半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 501 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 23/12 501 B ,  H01L 21/60 311 Q