特許
J-GLOBAL ID:201103037416283189
光電変換素子の製造方法、光電変換素子、および光電気化学電池
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
飯田 敏三
, 宮前 尚祐
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-223450
公開番号(公開出願番号):特開2011-071070
出願日: 2009年09月28日
公開日(公表日): 2011年04月07日
要約:
【課題】変換効率が高く、廉価な光電変換素子および光電気化学電池を提供する。【解決手段】導電性支持体上に色素が吸着された多孔質半導体微粒子を有する感光層、電荷移動層、および対極を含む積層構造よりなる光電変換素子の製造方法であって、半導体微粒子以外の固形分の含量が半導体微粒子分散液全体の10質量%以下の分散液を前記導電性支持体上に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子を得る工程、及び該多孔質半導体微粒子を下記一般式で表される構造を有する色素で増感する工程を含有する光電変換素子の製造方法。(式中、Xは、O、S又はCR2(R3)、Yは色素残基、nは1以上の整数、Zは置換基、mは0または正の整数を表す。mが2以上の場合、Zは同一でも異なっていてもよい。R1、R2、R3はH、又は置換基を表す。)【選択図】なし
請求項(抜粋):
導電性支持体上に色素が吸着された多孔質半導体微粒子を有する感光層、電荷移動層、および対極を含む積層構造よりなる光電変換素子の製造方法であって、半導体微粒子以外の固形分の含量が半導体微粒子分散液全体の10質量%以下の分散液を前記導電性支持体上に塗布し加熱することにより多孔質半導体微粒子を得る工程、及び該多孔質半導体微粒子を下記一般式(1)で表される構造を有する色素で増感する工程を含有することを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (28件):
5F051AA11
, 5F051AA14
, 5F051CB13
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F051GA05
, 5F151AA11
, 5F151AA14
, 5F151CB13
, 5F151FA02
, 5F151FA03
, 5F151FA06
, 5F151GA03
, 5F151GA05
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB02
, 5H032BB05
, 5H032CC16
, 5H032EE04
, 5H032EE16
, 5H032EE18
, 5H032EE20
, 5H032HH01
, 5H032HH06
引用特許:
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