特許
J-GLOBAL ID：201103037478494780
高密度磁気固定メモリの書き込み方法及び高密度磁気固定メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269885
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093273
特許番号：特許第3312174号
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に電歪効果を有する強誘電体材料からなる格子状の下地層を形成するとともに、この格子状の下地層の交差部上に磁歪効果を有する磁性材料からなる磁性薄膜をそれぞれ形成し、前記格子状の下地層の所定の行及び列に電圧を印加することにより、前記所定の行及び列の交差部上に形成された前記磁性薄膜の磁化を反転させて、書き込みを行うことを特徴とする、高密度磁気固定メモリの書き込み方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/14 A
, G11C 11/15
