特許

J-GLOBAL ID：201103037704123412

半導体記憶装置

発明者： 生田 信雄 ,  福谷 豊
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-273978
公開番号（公開出願番号）：特開平3-134888
特許番号：特許第2801933号
出願日： 1989年10月20日
公開日（公表日）： 1991年06月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】行方向および列方向に複数の記憶素子を配列したセルマトリクスを有する半導体記憶装置において、前記セルマトリクスに隣接し、少なくとも2行分の記憶素子群を有し、行方向および列方向で内容の異なる固定データが予め書き込まれたビット線判定用固定データ格納部と、前記セルマトリクスに隣接し、少なくとも2列分の記憶素子群を有し、行方向および列方向で内容の異なる固定データが予め書き込まれたワード線判定用固定データ格納部と、前記ビット線判定用固定データ格納部内の行方向の1対の前記記憶素子のデータを読み出して比較し、データが一致する場合にビット線の不良判定を行なうビット線異常検出回路と、前記ワード線判定用固定データ格納部内の列方向の1対の前記記憶素子のデータを読み出して比較し、データが一致する場合にワード線の不良判定を行なうワード線異常検出回路と、を具備することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (1件)：

G11C 29/00 651

FI (1件)：

G11C 29/00 651 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-089900
  
• 特開昭58-161199
  
• 特開昭64-078499