シリコン太陽電池の裏面ポイントコンタクト構造を形成する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-534244
公開番号（公開出願番号）：特表2011-503904
出願日： 2008年11月14日
公開日（公表日）： 2011年01月27日
要約：

シリコン太陽電池のような基板を処理する方法が提供される。1つの実施形態では、シリコン太陽電池の表面をマスク層及びレーザ吸収層で被覆し、そしてレーザ放射線を前記表面に誘導して開口部をこれらのマスク層及びレーザ吸収層に形成し、その後、ドーピング材料を、前記開口部を通して添加し、そしてコンタクトを取り付けることにより、ポイントコンタクトをシリコン太陽電池の表面に形成する方法が提供される。ドーピングは、好ましくは、プラズマ浸漬イオン注入により行なわれる。

請求項（抜粋）：