特許

J-GLOBAL ID：201103037833373018

半導体装置

発明者： 大塚 伸朗 ,  矢部 友章
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010243
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217374
特許番号：特許第4025023号
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基準電位にバイアスされる第一導電型の基板と、 前記第一導電型の基板の表面部に形成された複数の第二導電型のウェル領域、前記複数の第二導電型のウェル領域内にそれぞれ形成された、少なくとも1つの第一導電型の第1の拡散領域、および、前記複数の第二導電型のウェル領域内にそれぞれ形成された、少なくとも1つの第二導電型の第2の拡散領域を有し、外部信号の入力端子と前記基準電位との間にそれぞれ配置された複数段のダイオードと、 前記複数段のダイオードの、互いに隣接する各段のダイオードの、後段の前記少なくとも1つの第一導電型の第1の拡散領域と前段の前記少なくとも1つの第二導電型の第2の拡散領域との間をそれぞれ接続する配線部と を具備し、 前記各段のダイオードは、順方向の電圧降下が等しくなるように、それぞれ、異なるサイズを有して設けられてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 321 Z

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭60-182758
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-314950   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開昭62-032662
  
• 過電圧保護機構を有する集積回路およびその保護方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-144283   出願人：シンバイオス・ロジック・インコーポレイテッド